碳化硅舟托为什么可以代替石英舟托
碳化硅舟托与石英舟托主要功能一致。碳化硅舟托性能优良但价格较高，在工况恶劣的电池片加工设备(如LPCVD设备和硼扩散设备)中构成对石英舟托的替代关系。在工况普通的电池片加工设备中，由于价格关系，碳化硅与石英舟托成为并存、竞争的品类。
LPCVD设备用于电池片隧穿氧化及掺杂多晶硅层制备工艺，工作原理为在低压氛围下，结合适当的温度，实现化学反应和沉积成膜，从而制备超薄隧穿氧化层和多晶硅薄膜。隧穿氧化及掺杂多晶硅层制备工艺中，舟托工作温度高，表面会沉积硅薄膜。石英的热膨胀系数与硅差异较大，在上述工序中使用，需要定期酸洗去除表面沉积的硅，防止石英舟托因热膨胀系数与硅不同在热胀冷缩下破裂。因频繁酸洗及高温强度低，在隧穿氧化及掺杂多晶硅层制备工艺中，石英舟托寿命短，更换频繁，显著增加了电池片生产成本。碳化硅膨胀系数与硅接近，碳化硅一体化舟托在隧穿氧化及掺杂多晶硅层制备工艺中，无需酸洗，高温强度高，使用寿命长，是对石英舟托很好的替代产品。
